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HYDAC压力传感器现货HDA4745-A-400-000

  • 型   号:
  • 时   间:2020-03-03
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贺德克HYDAC压力传感器使硅材料成为制造微机电和微机械结构zui主要的优选材料。但是,硅材料对温度极为敏感,其电阻温度系统接近于2000×10^-6/K的量级。因此,凡是基于硅的压阻效应为测量原理的传感器,必须进行温度补偿,这是不利的一面;而可利用的一面则是,在测量其他参数的同时,可以直接对温度进行测量。不同晶粒有不同的单晶取向,而每一晶粒内部有单晶的特征。晶粒与晶粒之间的部位叫做晶界,晶界对

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贺德克HYDAC压力传感器使硅材料成为制造微机电和微机械结构zui主要的优选材料。但是,硅材料对温度极为敏感,其电阻温度系统接近于2000×10^-6/K的量级。因此,凡是基于硅的压阻效应为测量原理的传感器,必须进行温度补偿,这是不利的一面;而可利用的一面则是,在测量其他参数的同时,可以直接对温度进行测量。不同晶粒有不同的单晶取向,而每一晶粒内部有单晶的特征。晶粒与晶粒之间的部位叫做晶界,晶界对其电特性的影响可以通过掺杂原子浓度调节。贺德克HYDAC压力传感器多晶硅膜一般由低压化学气相淀积(LPVCD)法制作而成,其电阻率随掺硼原子浓度的变化而发生较大变化。多晶硅膜的电阻率比单晶硅的高,特别在低掺杂原子浓度下,多晶硅电阻率迅速升高。随掺杂原子浓度不同,其电阻率可在较宽的数值范围内变化。 
贺德克HYDAC压力传感器为单晶硅电阻应变灵敏系数zui大值的1/3;横向应灵敏系数,其值随掺杂浓度出现正负变化,故一般都不采用。此外,与单晶硅压阻相比,多晶硅压阻膜可以在不同的材料衬底上制作,如在介电体(SiO2、Si3N4)上。其制备过程与常规半导体工艺兼容,且无PN结隔离问题,因而适合更高工作温度(t≥200℃)场合使用。在相同工作温度下,贺德克HYDAC压力传感器多晶硅压阻膜与单晶硅压阻膜相比,可更有效地抑制温度漂移,有利于长期稳定性的实现。多晶硅电阻膜的准确阻值可以通过光刻手段获得。 
贺德克HYDAC压力传感器可调的电阻率特性、可调的温度系数、较高的应变灵敏系数及能达到准确调整阻值的特点。所以在研制微传感器和微执行器时,利用多晶硅膜这些电学特性,有时比只用单晶硅更有价值。例如,利用机械性能优异的单晶硅制作感压膜片,在其上覆盖一层介质膜SiO2,再在SiO2上淀积一层多晶硅压阻膜。这种混合结构的微型压力传感器,贺德克HYDAC压力传感器发挥了单晶硅和多晶硅材料各自的优势,其工作高温至少可达200℃,甚至300℃;低温为-60℃。 

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