HYDAC压力传感器HDA4745-A-400-000原厂供货

贺德克HYDAC压力传感器由碳原子和硅原子组成。利用离子注入掺杂技术将碳原子注入单晶硅内，便可获得优质的立方体结构的SiC。随着掺杂浓度的差异得到的晶体结构不同，可表示为β-SiC。β表示不同形态的晶体结构。用离子注入法得到的SiC材料，自身的物理、化学及电学特性优异，表现出高强度、大刚度、内部残余应力很低、化学惰性*、较宽的禁带宽度（近乎硅的1-2倍）及较高的压阻系数的特性；因此，SiC材料能在高温下耐腐蚀、抗辐射，并具有稳定的电学性质。贺德克HYDAC压力传感器非常适合在高温、恶劣环境下工作的微机电选择使用。 
贺德克HYDAC压力传感器可调的电阻率特性、可调的温度系数、较高的应变灵敏系数及能达到准确调整阻值的特点。所以在研制微传感器和微执行器时，利用多晶硅膜这些电学特性，有时比只用单晶硅更有价值。例如，利用机械性能优异的单晶硅制作感压膜片，在其上覆盖一层介质膜SiO2，再在SiO2上淀积一层多晶硅压阻膜。这种混合结构的微型压力传感器，贺德克HYDAC压力传感器发挥了单晶硅和多晶硅材料各自的优势，其工作高温至少可达200℃，甚至300℃；低温为-60℃。 
贺德克HYDAC压力传感器具有较高的强度/密度比和较高的刚度/密度比。单晶硅具有很好的热导性，是不锈钢的5倍，而热膨胀系数则不到不锈钢的1/7，能很好地和低膨胀Invar合金连接，并避免热应力产生。单晶硅为立方晶体，是各向异性材料。许多机械特性和电子特性取决于晶向，如弹性模量和压阻效应等。单晶硅的电阻应变灵敏系数高。在同样的输入下，可以得到比金属应变计更高的信号输出，一般为金属的10-100倍，能在10^-6级甚至10^-8级上敏感输入信号。贺德克HYDAC压力传感器硅材料的制造工艺与集成电路工艺有很好的兼容性，便于微型化、集成化及批量生产。硅可以用许多材料覆盖，如氮化硅，因而能获得优异的防腐介质的保护。具有较好的耐磨性。