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美国+G+F+传感器现货P51530-P2

  • 型   号:
  • 时   间:2019-08-15
  • 价   格:1000

G+F传感器基底用于保持敏感栅、引线的几何形状和相对位置,盖片既保持敏感栅和引线的形状和相对位置,还可保护敏感栅。基底的全长称为基底长,其宽度称为基底宽。 基底材料有纸基和胶基。胶基由环氧树脂、酚醛树脂和聚酰亚胺等制成胶膜,厚度约0.03~0.05mm 用于将敏感栅固定于基底上,并将盖片与基底粘贴在一起。使用金属应变片时,G+F传感器也需用粘结剂将应变片基底粘贴在构件表面某个方向和位置上。以便将

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G+F传感器基底用于保持敏感栅、引线的几何形状和相对位置,盖片既保持敏感栅和引线的形状和相对位置,还可保护敏感栅。基底的全长称为基底长,其宽度称为基底宽。 基底材料有纸基和胶基。胶基由环氧树脂、酚醛树脂和聚酰亚胺等制成胶膜,厚度约0.03~0.05mm 用于将敏感栅固定于基底上,并将盖片与基底粘贴在一起。使用金属应变片时,G+F传感器也需用粘结剂将应变片基底粘贴在构件表面某个方向和位置上。以便将构件受力后的表面应变传递给应变计的基底和敏感栅。


G+F传感器应变片粘贴在被测试件上,当温度恒定时,其加载特性与卸载特性不重合,即为机械滞后。 产生原因:应变片在承受机械应变后,其内部会产生残余变形,使敏感栅电阻发生少量不可逆变化;在制造或粘贴应变片时,如果敏感栅受到不适当的变形或者粘结剂固化不充分。 机械滞后值还与应变片所承受的应变量有关,G+F传感器加载时的机械应变愈大,卸载时的滞后也愈大。所以,通常在实验之前应将试件预先加、卸载若干次,以减少因机械滞后所产生的实验误差。


G+F传感器的变换原理是利用金属导体在交流磁场中的电涡流效应。若一金属板置于一只线圈的附近,它们之间相互的间距为δ,当线圈输入一交变电流i 时,便产生交变磁通量Φ,金属板在此交变磁场中会产生感应电流i1,这种电流在金属体内是闭合的,所以称之为电涡流或涡流。涡流的大小与金属板的电阻率ρ、磁导率μ、厚度h、金属板与线圈的距离δ、激励电流角频率ω等参数有关。G+F传感器若固定某些参数,就可根据涡流的变化测量另一个参数。

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